BSC030N03MS G

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
BSC030N03MS G
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
通道数量1Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id100A
Rds On(Max)@Id,Vgs2.5mΩ
栅极电压Vgs20V
Qg-栅极电荷73nC
配置Single
Pd-功率耗散(Max)69W
高度1.27mm
长度5.9mm
系列OptiMOS3M
FET类型N-Channel
宽度5.15mm
正向跨导 - 最小值48S
下降时间9.4ns
上升时间10ns
典型关闭延迟时间23ns
典型接通延迟时间19ns
工作温度-55°C~150°C

功率MOSFET   5.9mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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